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首页 商用类产品 半导体材料 光刻胶 负性(聚异戊二烯基)
Macro Silicon Wafer

负性(聚异戊二烯基) - 产品介绍

多样性的负性聚异戊二烯基光刻胶系统

多样性的的负性聚异戊二烯基光刻胶产品,适用于多种基板上的投影、临近和连接成像以及湿法蚀刻需求。

产品概要
  • SC 光刻胶系列
    设计用于较厚的应用,光刻胶膜厚范围为1.8至10微米,适用于接触式曝光。
  • IC Type 3 光刻胶系列
    设计用于光刻胶膜厚为0.75至2.0微米的应用,适用于投影、接近式和接触式曝光。
  • HNR 光刻胶系列
    设计用于高分辨率应用,光刻胶厚度范围为0.50至1.40微米,适用于接近式和接触式曝光。
  • HR 光刻胶系列
    设计用于光刻胶厚度为0.70至1.50微米的应用,适用于高反射衬底上的投影、接近式和接触式曝光。