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中国
Macro Silicon Wafer

负性(聚异戊二烯基)

多样性的负性聚异戊二烯基光刻胶系统

多样性的的负性聚异戊二烯基光刻胶产品,适用于多种基板上的投影、临近和连接成像以及湿法蚀刻需求。

产品概要

  • SC 光刻胶系列
    专为较厚的应用而设计,厚度范围可从1.8至10微米。
  • IC Type 3 光刻胶系列
    专为使用0.75至2.0微米涂层的应用而设计。 
  • HNR 光刻胶系列
    专为高解析度应用而设计,采用0.50至1.40微米的涂层,在接近式和接触式打印机上曝光。
  • HR 光刻胶系列
    专为高反射率衬底上设计使用,厚度范围为0.70至1.50微米涂层的应用而设计。