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- 具有多种平台的产品，可对不同材料研磨去除率进行调整
- 选择比可调
- 缺陷率低
- 具有竞争力的使用成本
- FSL1600C
- 下一代Poly Open Polish（POP）浆料，用于逻辑和存储器的后栅极/替代金属栅极（RMG）集成
- 接近的氮化物、氧化物研磨去除率，同时和多晶硅膜层相比拥有高选择性
- 所有3种电介质的速率和选择性均可调
- 高纯度胶体二氧化硅和低缺陷率的高纯化学品
- 低成本的浓缩配方
- FSL1531C
- 多晶硅研磨液，在多种电介质和金属上具有停止效果
- 多晶硅研磨速率率高，同时具备高 Ti/TiN liner 研磨速率
- 不含TMAH，对EHS无害的化学成分和高纯度的胶体二氧化硅，实现了低缺陷率
- 高稀释性的浆液产品，具有吸引力的使用成本
- FSL1700C
- 在氮化硅上具有停止效果的氧化硅研磨液
- 用于“硅基”浅槽隔离 (STI) 研磨液
- 改变了行业--将STI的研磨液标准从铈转移到硅
- 在氮化硅上有非常好的停止效果
- 浆料可进一步停留在其他金属（如钨、钴）或电介质（如多晶硅）薄膜上
- 使用高纯度胶体二氧化硅，缺陷率低（相对于二氧化铈）
- 用于高级逻辑和存储器中 STI 制程中的关键研磨液材料
- 浓缩配方，具有吸引力的使用成本（CoO）
- FSL1820C
- 在氧化硅上具有停止效果的氮化硅研磨液
- 用于“Reverse – STI”的氮化物研磨液，例如 SAC Cap、HM、Etch-Stop 等
- 研磨液可进一步停留在其他金属（如钨、钴）或电介质（如多晶硅）薄膜上
- 氮化硅膜与氧化硅膜的高选择性
- FSL1400C
- 对金属（Ti、Zr、Hf、Al）氧化物浆料，对绝缘层无选择性
- 可调的研磨速率和选择性
- 不同的配方产品，可获得高的研磨率
- 高纯度胶体二氧化硅基可稀释配方，具有缺陷率低和有吸引力的使用成本
- FSL1450C
- 金属（Ti、Zr、Hf、Al）氧化层研磨液
- 在氮化硅、氧化物、硅锗和多晶硅薄膜上有良好的停止效果
- 可调的研磨速率和选择性
- 基于高纯度胶体二氧化硅的高度可稀释配方，具有低缺陷率和有吸引力的使用成本
- FSL3400C
- 钨研磨液，在电介质上有停止效果，或对电介质无选择作用
- 对氮化硅、氧化硅、SiGe和多晶硅薄膜具有良好的选择比
- 非选择性应用中，钨和硅基绝缘层的可调速率和选择性
- 基于高纯度胶体二氧化硅的高度可稀释配方，可实现低缺陷率
