- 高效去除颗粒
- 优异的有机物清洁性
- 对敏感的金属部件具有出色的防腐蚀保护
- 成本低廉——浓缩清洁剂可在用户端提供更低的使用成本
- CLEAN-100
- 工业标准铜（Cu）化学机械抛光（pCMP）清洗剂
- 酸性pH平台
- 低铜腐蚀速率（Cu SER）
- 对颗粒和有机残留物具有良好的清洁能力
- WCP-200
- 工业标准钨（W）化学机械抛光（pCMP）清洗剂
- 中性pH平台
- 低钨腐蚀速率（W SER）
- 对颗粒和有机残留物具有良好的清洁能力
- FCN100XC
- 专为钨（W）、钼（Mo）及介电层化学机械抛光清洗设计
- 酸性pH平台（FCN1003C）/中性pH平台（FCN1006C），提供更好的金属腐蚀保护
- 对氧化层（Ox）、氮化硅（SiN）和多晶硅（poly-Si）上的颗粒及有机残留物具有更佳的清洗效果
- 作为抛光垫缓冲化学品和pCMP的清洗配套方案
- FCN300XC
- 设计作为WCP-200钨（W）化学机械抛光（pCMP）清洗剂的CIP，也可用于钼（Mo）应用
- 中性pH平台（FCN300C）、碱性pH平台（FCN3003C）、酸性pH平台（FCN3004C）
- 低钨腐蚀速率（W SER）
- 对氧化钨（WOx）/钨（W）具更高选择性
- 改进的颗粒和有机残留物去除能力
- 增强了先进工艺节点中微小颗粒的清洁能力
- 作为抛光垫缓冲化学品和pCMP二合一应用的出色选择
- CCN9002C
- 设计为先进的铜（Cu）化学机械抛光（pCMP）清洗剂
- 碱性pH平台
- 低铜和钴（Co）腐蚀速率
- 适用于钌（Ru）应用
- 良好的颗粒和有机残留物清洁能力
- 设计用于抛光垫缓冲化学品和pCMP配套使用
- CCN9005C
- 设计为先进的铜（Cu）化学机械抛光（pCMP）清洗剂
- 碱性pH平台
- 低铜和钴（Co）腐蚀速率
- 适用于钌（Ru）应用
- 良好的颗粒和有机残留物清洁能力
- 设计用于抛光垫缓冲化学品和pCMP配套使用
