铜CMP研磨液

• 高去除率、高平坦化效率、低形貌、低缺陷和优异的过抛光余量
• 可调配方——具有调整方法，可满足客户的特定性能目标
• 对普通阻挡膜有很高的选择性，易于进行终点检测，并在不影响形貌的情况下进行良好的铜残留清除
• 在铜抛光中和Prestonian公式强相关，便于工艺开发和控制
• 配方高度浓缩，成本低廉
• 易于使用——不需要特殊的化学清洁剂或工艺条件

市场先进产品，可满足广泛的工艺和技术要求的性能要求。

• CSL9044C
  • 为不同设备开发，包括高端集成电路工艺
  • 在铜应用中经过充分验证和成熟的产品
  • 高去除率和高产量
  • 对阻挡膜的选择性高
  • 不良率低
  • 优异的除铜性
  • 平坦化效率高
  • 低凹陷和低腐蚀
  • 可以为从成熟的技术节点到高端技术节点的大量应用开发可靠的工艺
  • 包括厚金属层
• CSL9400C
  • 为高端工艺开发
  • 更高的去除率可大大提高工艺产量，并将铜抛光减少到一步研磨
  • 优异的阻挡层选择性
  • 缺陷率低
  • 优异的铜去除性
  • 可调的凹陷程度
  • 适用于一系列技术节点，包括逻辑电路、存储器或厚金属抛光
• CSL9500C
  • 为高端工艺开发，包括钌金属的集成工艺
  • 高去除率和高工艺产量
  • 优异的阻挡膜选择性
  • 低缺陷率
  • 优异的铜去除性
  • 可调的凹陷程度
  • 适用于高端的集成应用
• CSL9215C
  • 专为厚金属应用而开发
  • 提高TSV铜抛光工艺生产能力的去除率
  • 优异的阻挡膜选择性
  • 缺陷率低
  • 优异的铜去除性
  • 除铜后的形貌满足 TSV 要求
• CSL9300C
  • 专为缺陷敏感工艺而开发
  • 低缺陷率，特别是对于划伤率而言
  • 平坦化效率高，形貌低，清铜效果好
  • 对阻隔材料和低介电系数材料具有优异的选择性，尤其适用于阻隔层较薄的高端工艺
  • 高去除率和高工艺产量