- 高去除率、高平坦化效率、低形貌、低缺陷和优异的过抛光余量
- 可调配方——具有调整方法，可满足客户的特定性能目标
- 对普通阻挡膜有很高的选择性，易于进行终点检测，并在不影响形貌的情况下进行良好的铜残留清除
- 在铜抛光中和普雷斯顿公式*强相关，便于工艺开发和控制
- 配方高度浓缩，成本低廉
- 易于使用——不需要特殊的化学清洁剂或工艺条件
*该公式适用于半导体行业，是描述化学机械抛光（CMP）中材料去除率与压力及相对速度成正比的经验方程。
现有市场产品能够满足各种工艺和技术要求下的性能需求。
- CSL9044C
- 为不同设备开发，包括高端集成电路工艺
- 在铜应用中经过充分验证和成熟的产
- 高去除率和高产量
- 对阻挡膜的选择性高
- 不良率低
- 优异的除铜性
- 平坦化效率高
- 低凹陷和低腐蚀
- 可以为从成熟的技术节点到高端技术节点的大量应用开发可靠的工艺
- 包括厚金属层
- CSL9400C
- 为高端工艺开发
- 更高的去除率可大大提高工艺产量，并将铜抛光减少到一步研磨
- 优异的阻挡层选择性
- 缺陷率低
- 优异的铜去除性
- 可调的凹陷程度
- 适用于一系列技术节点，包括逻辑电路、存储器或厚金属抛光
- CSL9500C
- 为高端工艺开发，包括钌金属的集成工艺
- 高去除率和高工艺产量
- 优异的阻挡膜选择性
- 低缺陷率
- 优异的铜去除性
- 可调的凹陷程度
- 适用于高端的集成应用
- CSL9215C
- 专为厚金属应用而开发
- 提高TSV（硅通孔技术）铜抛光工艺生产能力的去除率
- 优异的阻挡膜选择性
- 缺陷率低
- 优异的铜去除性
- 除铜后的形貌满足 TSV（硅通孔技术） 要求
- CSL9280C
- 专为后端工艺（BEOL）、全局金属层及先进封装应用而开发
- 在中等或低地形条件下具备优异的产能表现
- 对阻挡膜选择性佳，兼容钛（Ti）阻挡层
- 低缺陷率
- 出色的清除能力
- CSL9300C
- 专为先进铜（Cu）应用而开发并经过充分验
- 晶圆内和芯片级表现优异
- 对先进阻挡膜具有高选择性和良好兼容性
- 针对先进器件的缺陷控制目标进行开发
- 具有出色的铜去除能力，同时实现低凹陷（dishing）和低侵蚀（erosion）
- 高平整化效率
