阻挡层 CMP 研磨液

• 优异的抗腐蚀性能、低缺陷率
• 适用于包括low-K 和 ULK 电介质、蚀刻硬掩模和 ARC 层在内的多种集成方案
• 快速去除传统阻挡层膜和钴膜
• 配方调整以达到薄膜选择性调节和定制，从而实现出色的最终表面形貌和表面光洁度
• 成本低廉——浓缩配方可在用户端提供更低的成本

产品能满足广泛的工艺和技术要求。

• BSL8180C
  • 专为使用low-K电介质的多种集成方案而设计的钴兼容碱性阻挡层研磨液
  • 可调的铜金属和low-k/ULK去除率
  • 高纯研磨颗粒
  • 缺陷率低
  • 软垫性能优异
  • 低成本的浓缩配方
• BSL8400C
  • 专为高阶制程设计开发的low-K电介质集成而设计的更高浓度版本
  • 可调的铜金属和low-k/ULK去除率
  • 高纯研磨颗粒
  • 缺陷率低
  • 软垫性能优异
  • 低成本的浓缩配方
• BSL8300C
  • 设计用于Ru liner抛光
  • 碱性 pH 条件下的高纯度二氧化硅配方
  • 钌去除率高
  • 可调铜和低介电系数
  • 具有成本竞争力的可稀释配方