- 出色的铜敏感结构防腐蚀保护，缺陷率低
- 适用于包括低介电常数（Low-K）*和超低介电常数（ULK）*介质材料、蚀刻硬掩膜及反射减薄涂层（ARC）在内的多种集成工艺方案
- 快速去除传统阻挡膜和钴（Co）衬底膜
- 独立组分调节，实现膜层选择性调整和定制，带来优异的最终地形修正和表面质量
- 具备很大吸引力的拥有成本——提供浓缩配方，降低使用现场成本
* 专业术语
现有市场上的产品能够满足广泛的工艺和技术要求。
- BSL8180C
- 专为使用low-K电介质的多种集成方案而设计的钴兼容碱性阻挡层研磨液
- 可调的铜金属和low-k/ULK去除率
- 高纯研磨颗粒
- 缺陷率低
- 软垫性能优异
- 低成本的浓缩配方
- BSL8400C
- 专为高阶制程设计开发的low-K电介质集成而设计的更高浓度版本
- 可调的铜金属和low-k/ULK去除率
- 高纯研磨颗粒
- 缺陷率低
- 软垫性能优异
- 低成本的浓缩配方
- BSL8250C
- 一种具有成本竞争力的胶体二氧化硅浆料，适用于硬垫和软垫
- 具有非常高的阻挡膜和介电层去除速率，可调的铜去除速率，适用于包括逻辑芯片、存储器及含厚TEOS的器件等多种应用
- BSL8300C
- 设计用于Ru liner抛光
- 碱性 pH 条件下的高纯度二氧化硅配方
- 钌去除率高
- 可调铜和低介电系数
- 可调铜和低介电系数
- BSL86xxC
- 高纯度胶体二氧化硅成而设计的更高浓度版本
- 低缺陷率
- 优异的地形控制性能，尤其是在平整度方面表现出色
- 已验证在铜通孔（Cu Via）工艺中的优异表现
