新兴钴金属研磨液

• 对敏感的钴金属具有出色的腐蚀保护
• 与广泛的集成方案兼容，包括多种电介质、蚀刻硬掩模和 ARC 层
• 可调的选择性，以满足定制的薄膜堆叠和最终精加工目标
• 成本低廉——浓缩配方可在使用点提供更低的成本

产品足以满足广泛的工艺和技术要求。

• MSL5100C
  • 用于步骤1，用于去除大马士革结构上的大量的Co金属
  • 高浓缩液，使用成本低
  • 蚀剂系统，对钴金属提供优异的腐蚀保护
  • 平坦化效率高
  • 对 Ti 和 TiN 的选择性可调
• MSL5200C
  • 用于步骤2，用于大马士革内部的Co金属和绝缘层材料的最终抛光
  • 低成本的浓缩配方
  • 钴去除率可调，不受其他薄膜影响
  • 出色的表面光洁度，出色的钴金属保护

• MSL5500C
  • 用于去除钌金属的研磨液
  • 低成本的浓缩配方
  • 不同的缓蚀剂系统为钌金属提供出色的腐蚀保护
  • 平坦化效率高
  • 对介质薄膜具有高选择性

• MSL5600C
  • 用于去除大马士革钼金属的研磨液产品
  • 低成本的浓缩配方
  • 不同的缓蚀剂系统为钌金属提供出色的腐蚀保护
  • 平坦化效率高

• MSL3100C
  • 钨(W)研磨液，对电介质有高选择比
  • 对氮化硅、氧化硅、SiGe和多晶硅薄膜具有良好的阻隔性，适用于电介质应用
  • 非选择性应用中，钨基和硅基电介质的可调速率和选择性
  • 基于高纯度胶体二氧化硅的高度可稀释配方，可实现低缺陷率
• MSL3200C
  • 钨（W）浆料平台，用于W金属和电介质特征的最终抛光
  • 低成本的浓缩配方
  • 可调控的 W 去除率，不受其他薄膜影响
  • 出色的表面光洁度，具有出色的W金属保护