- 对敏感的钴金属具有出色的腐蚀保护
- 与广泛的集成方案兼容，包括多种电介质、蚀刻硬掩模和 ARC 层
- 可调的选择性，以满足定制的薄膜堆叠和最终精加工目标
- 成本低廉——浓缩配方可在使用点提供更低的成本
产品足以满足广泛的工艺和技术要求。
- MSL5100C
- 用于步骤1，用于去除大马士革结构上的大量的Co金属
- 高浓缩液，使用成本低
- 蚀剂系统，对钴金属提供优异的腐蚀保护
- 平坦化效率高
- 对 Ti 和 TiN 的选择性可调
- MSL5200C
- 用于步骤2，用于大马士革内部的Co金属和绝缘层材料的最终抛光
- 低成本的浓缩配方
- 钴去除率可调，不受其他薄膜影响
- 出色的表面光洁度，出色的钴金属保护
- MSL5600C
- 用于去除大马士革钼金属的研磨液产品
- 低成本的浓缩配方
- 不同的缓蚀剂系统为钌金属提供出色的腐蚀保护
- 平坦化效率高
- MSL3100C
- 钨(W)研磨液，对电介质有高选择比
- 对氮化硅、氧化硅、SiGe和多晶硅薄膜具有良好的阻隔性，适用于电介质应用
- 非选择性应用中，钨基和硅基电介质的可调速率和选择性
- 基于高纯度胶体二氧化硅的高度可稀释配方，可实现低缺陷率
- MSL3200C
- 钨（W）浆料平台，用于W金属和电介质特征的最终抛光
- 低成本的浓缩配方
- 可调控的 W 去除率，不受其他薄膜影响
- 出色的表面光洁度，具有出色的W金属保护
- MSL5600C
- 专为大宗钼抛光设计
- 高化学气相沉积钼（CVD-Mo）去除速率（>1000 Å/分钟），对TEOS和氮化硅（SiN）具有高选择性
- 可单独调节钼去除速率
- 低钼腐蚀
- 高平整效率
- MSL5700C
- 专为钼抛光缓冲设计
- 对介电层（ILD）选择性可调，可实现对钨（W）、TEOS和SiN无选择性
- 可单独调节钼去除速率
- 优异的表面光洁度和钼金属保护效果
- 也可用于非选择性的钨缓冲抛光（W buff CMP）
- FSL10xxC
- 用于钌应用的低介电常数（Low-K）大宗去除浆料
- 高的低介电常数和氧化层（Ox）去除速率
- 高低介电常数/氮化硅（SiN）去除速率选择性
- FSL11xxC
- 用于钌应用的低介电常数缓冲去除浆料
- 适中的低介电常数、氧化层和氮化硅去除速率
- 可调的低介电常数/氮化硅去除速率选择性以控制地形
- MSL3100C
- 钨大宗浆料，可选择截止于介电层或对介电层无选择性
- 在截止于介电层的应用中，对氮化硅（SiN）、氧化层（Oxide）、硅锗（SiGe）和多晶硅膜有良好的截止效果
- 在无选择性应用中，钨与硅基介电层的去除速率和选择性可调
- 高纯度胶体二氧化硅研磨剂，高度可稀释配方，提供低缺陷率
- MSL3200C
- 专为先进钨缓冲抛光（buff）应用设计
- 在无选择性应用中，钨与硅基介电层的去除速率和选择性可调
- 兼容先进的化学气相沉积钨（CVD W）
