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阻挡层 CMP 研磨液
富士胶片的阻挡层CMP研磨液旨在去除铜研磨步骤后暴露的阻挡层金属，并将晶圆表面的薄膜进行平坦化处理。
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化学机械平坦化（CMP）是制造当今电子设备中使用的先进半导体器件或“微芯片”的关键工艺。 -
铜CMP研磨液
富士胶片电子材料有限公司的铜CMP研磨液被设计用来去除多余的铜线层，以显露出底层的大马士革铜互连线。
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新兴钴金属研磨液
富士胶片电子材料有限公司的钴CMP 研磨液设计用于抛光钴和其它阻挡层金属，并在高级钴互连抛光工艺中对电路中的多种薄膜层进行平面化处理。
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前端CMP研磨液
富士胶片电子材料有限公司的前端CMP研磨液是为采用先进晶体管技术的器件而设计的，如high-K金属栅、先进的电介质、3维FinFET晶体管和自对准接线层。有多种产品平台可供选择，以满足广泛的工艺和技术要求。
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化学机械研磨后清洗剂
富士胶片电子材料有限公司生产的化学机械研磨后清洗剂旨在清洁颗粒、杂质金属和有机残留物，同时保护金属表面。
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