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核心技术

MEMS 技术

使用富士胶片研发的压电薄膜技术进行设备设计和原型设计

富士胶片在压电材料和沉积技术方面的深厚知识,以及快速设备原型生产线,使我们能够迅速完成 MEMS 设备的设计、构建与测试,满足您的需求

富士胶片压电材料的优势
  • 出色的位移响应线性度
  • 无需进行极化处理
    设备制造完成后可立即投入使用。即使加热到居里温度以上,设备依然保持稳定响应。
  • 在晶圆内及晶圆间实现高度的均匀和一致性

适用于 8 英寸晶圆的压电薄膜

高压电常数与出色的耐久性
该条形图展示了富士胶片的铌掺杂锆钛酸铅 (PZT)、公司 A 的溅射 PZT、公司 B 的溅射 PZT 以及公司 C 的溶胶-凝胶 PZT 之间的压电常数比较。富士胶片 PZT 材料的压电常数 d31 数值为 220,超过了公司 A 至公司 C 的产品。
该图表描绘了随着脉冲次数的增加,位移量的变化趋势。该图表显示,即使在经过 1011 次脉冲之后,位移量依然没有出现衰减现象。
富士胶片研发的高铌掺杂 PZT 薄膜(专利)
这些图表展示了铌掺杂 PZT 的晶体结构、常规块状产品的横截面扫描电子显微镜 (SEM) 图像、富士胶片的薄膜横截面 SEM 图像,以及极化方向的示意图。在铌掺杂 PZT 中,铌替代了锆或钛,被嵌入到晶格中心。与块状产品不同,我们的薄膜结构由沿涂层厚度方向延伸的晶柱构成,且这些晶柱的极化方向均沿同一方向排列。